No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes.
No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.
Caso o capacitor C3 seja retirado do circuito, ocorrerá uma mudança nas correntes de polarização do transistor, acompanhada de um aumento no ganho de tensão do circuito.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes.
Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes.
Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa importante por favorecer a minimização da recombinação dos portadores majoritários e minoritários na base.
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue os itens a seguir.
Na família TTL, o nível lógico 0 deve estar, no máximo, em torno de 1,5 V.
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue os itens a seguir.
O fator de carga de uma porta lógica representa a quantidade máxima de saídas que é possível ligar a uma entrada.
Com relação ao comportamento de campos elétricos e magnéticos na matéria e às propriedades térmicas da matéria, julgue os itens que se seguem.
Em um capacitor de placas paralelas separadas por vácuo, a capacitância, que é igual a diferença de potencial entre as duas placas dividida pela carga armazenada no capacitor, diminuirá se o vácuo for substituído por uma substância cerâmica, pois a constante dielétrica do vácuo é a maior possível.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes.
Para que transistores bipolares do tipo NPN operem na região ativa, é necessário que a junção entre o coletor e a base seja submetida à polarização reversa, e a junção entre base e emissor seja polarizada diretamente.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes.
Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue os itens a seguir.
Uma das vantagens da família TTL é a possibilidade de interligação entre as diversas subfamílias, pois elas compartilham as mesmas correntes de entrada e saída.
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue os itens a seguir.
Quando não se deseja utilizar uma entrada de uma porta lógica TTL, pode-se conectar essa entrada a uma tensão de +5 V por meio de um resistor de 1 kΩ.
Julgue os itens seguintes, referentes a famílias de circuitos digitais,
sistemas digitais e circuitos conversores de energia.
A lógica transistor–transistor refere-se à família de circuitos digitais que operam em níveis de tensão de 0 V e 5 V. Em sua construção, usam internamente transistores bipolares de junção (BJT) e resistores.
A respeito da família TTL (transistor-transistor logic) de circuitos lógicos, amplamente utilizada desde sua concepção, assinale a opção correta.
No que se refere às eletrônicas analógica, digital e de potência,
julgue os itens de subsequentes.
Considere que o circuito apresentado abaixo represente um espelho de corrente construído em tecnologia MOS. Nessa situação, se VSS = 15V, IREF = 150 μA e os parâmetros dos transistores são Kn = 250 μA/V2, VTN = 1V e γ = 0,0133V–1, é correto afirmar que a corrente de saída IO será superior a 170 μA, desconsiderando–se a parte fracionária do resultado e utilizando–se √1,2=1,1 .
