Com base na FIGURA A, para uma carga Z com características puramente resistiva com um valor de resistência igual a Rcarga = 100Ω e uma tensão de entrada alternada e senoidal de 220V na frequência de 60Hz.
Calcule
A eficiência do retificador é de aproximadamente.
Com base na FIGURA A, para uma carga Z com características puramente resistiva com um valor de resistência igual a Rcarga = 100Ω e uma tensão de entrada alternada e senoidal de 220V na frequência de 60Hz.
Calcule
O Fator de crista da corrente de carga.
Considere os itens a respeito do arranjo em série e paralelo de chaves eletrônicas e atribua V para verdadeiro ou F se falso.
( ) Para o aumento da capacidade de condução de corrente, TBj´s em paralelo devem ter observado seus coeficientes de temperatura (negativo para TBJ´s) pois se um dos transistores conduzir mais corrente, sua resistência em sentido direto diminui e sua corrente aumenta ainda mais.
( ) Em IGBT´s o paralelismo é mais simples, pois os mesmos possuem coeficientes de temperatura positivos e constantes de maneira a facilitar seu paralelismo para divisão da condução de corrente.
( ) Para conexão de TBJ´s em série, o tempo de entrada e saída de condução devem ser observados de maneira a não permitir que o dispositivo mais lento para condução ou rápido para o desligamento seja submetido a toda tensão de coletor/emissor.
( ) Já para o paralelismo de MOSFET´s, uma vez que o aquecimento da chave implica em um aumento na resistência em sentido direto, o desvio da corrente resultante impede o paralelismo deste tipo de chave.
Assinale a sequência correta, no sentido de cima para baixo.
Com base na FIGURA A, para uma carga Z com características puramente resistiva com um valor de resistência igual a Rcarga = 100Ω e uma tensão de entrada alternada e senoidal de 220V na frequência de 60Hz.
Calcule
O Valor eficaz aproximado de tensão na carga.
Ainda a respeito da chave eletrônica da figura, após o Ensaio I da figura anterior são realizadas as seguintes aferições:
Podemos inferir agora que o transistor encontra-se
Dado o circuito a seguir, a tensão de pico na carga RL
vale aproximadamente o descrito na alternativa:
O texto abaixo descreve o procedimento da soma de dois números com relação às unidades lógicas e aritméticas (ULAs).
"A unidade de recebe as instruções da unidade de especificando que o número armazenado em um determinado endereço da memória será somado ao número armazenado no ___ . O número a ser somado é transferido para um . Os números do ___ e do são somados no circuito lógico e o resultado é enviado para o acumulador. O número no acumulador pode ser mantido para uma nova operação de soma com outro número ou armazenado na memória".
Assinale a alternativa que contenha o conteúdo e a ordem CORRETA que preencha as lacunas do texto acima.
O resultado em representação binária da soma do valor hexadecimal 1 C e do valor octal 10 e por fim, multiplicado o resultado da soma pelo valor binário 10 é:
Indique qual porta lógica de três entradas pode ser representada pela tabela lógica abaixo.
A figura abaixo mostra o diagrama de blocos de um oscilador de realimentação. A respeito dos ganhos promovidos nos blocos A e B, podemos afirmar, segundo os critérios de Barkhausen, sobre a saída Vs:
Em um ambiente industrial, um sistema supervisório é utilizado para monitorar sinais de tensão elétrica provenientes de um sensor. Por questões físicas da planta, o sensor encontra-se posicionado à cerca de 40 metros de distância do sistema de pré-amplificação e condicionamento de sinal, que é constituído por um amplificador operacional na configuração inversora, conforme ilustra a figura abaixo. O ambiente em questão está sujeito a emissões eletromagnéticas moderadas que podem se acoplar no circuito ao longo do percurso entre o sensor e o sistema de pré amplificação. Considerando o contexto em questão, a solução técnica mais viável economicamente para conexão do sensor ao sistema de pré-amplificação é:
Com relação a amplificadores de potência, avalie o acerto das afirmações adiante e marque com V as verdadeiras e com F as falsas.
( ) Os amplificadores classe A apresentam eficiência máxima maior que os amplificadores classe
( ) Os amplificadores classe A apresentam uma menor taxa de distorção harmônica comparado aos amplificadores de classe B.
( ) Os amplificadores classe D são projetados para operar com sinais digitais ou pulsados e apresentam eficiência global elevada.
( ) Em amplificadores classe B é possível obter na saída um ciclo completo do sinal de entrada utilizando apenas um transistor.
Marque a opção que contenha a sequência CORRETA, de cima para baixo:
O Light Dependent Resistor (LDR) ou fotoresistor é um sensor de luminosidade utilizado em uma infinidade de aplicações. Quanto ao funcionamento desse sensor, avalie o acerto das afirmações sadiante e marque com V as verdadeiras e com F as falsas.
( ) Conforme aumenta a incidência luminosa no sensor, ocorre uma diminuição do valor de resistência nos seus terminais.
( ) Conforme diminui a incidência luminosa no sensor, ocorre uma diminuição do valor de resistência nos seus terminais.
( ) Conforme há a presença de incidência luminosa no sensor, aumenta o número de elétrons para a banda de condução, reduzindo a barreira de potencial pelo aumento do número de elétrons.
( ) Conforme há a presença de incidência luminosa no sensor, diminui o número de elétrons para a banda de condução, reduzindo a barreira de potencial pela diminuição do número de elétrons.
( ) Somente com a presença de incidência luminosa este sensor apresenta características resistivas em seus terminais.
Marque a opção que contenha a sequência CORRETA, de cima para baixo:
( ) O circuito elétrico em questão é composto por um amplificador inversor e um derivador;
( ) O circuito elétrico em questão é composto por um amplificador inversor, um somador e integrador;
( ) A expressão que melhor representa o sinal de saída é V o = 2sen(St) - St mV;
( ) A expressão que melhor representa o sinal de saída é V o = 2cos(St) - 5 t2 mV;
( ) A expressão que melhor representa o sinal de saída é V o = -SOsen(St) mV.
Marque a opção que contenha a sequência CORRETA, de cima para baixo:
Com relação às estruturas de memória, avalie o acerto das afirmações adiante e marque com V as verdadeiras e com F as falsas.
( ) As células das memórias RAMs estáticas são essencialmente flip-flops que permanecem em um dado estado indefinidamente, desde que a alimentação de seus circuitos sejam interrompidas periodicamente.
( ) As memórias RAMs dinâmicas são fabricadas utilizando capacitares MOS, se destacam pelas altas capacidades de armazenamento e requerem uma operação denominada de refresh que pode ser implementada por circuitos externos ou incorporados ao chip da memória.
( ) As células de uma memória PROM são fabricadas utilizando transistores MOS e podem ser apagadas, todas ao mesmo tempo, quando expostas à luz ultravioleta. Uma vez apagadas, as células podem ser reprogramadas.
Marque a opção que contenha a sequência CORRETA, de cima para baixo:
